在探讨刻蚀工序产生的废气主要成分时，我们首先需要理解刻蚀工序在半导体制造或相关工业中的基本情况和所使用的化学物质。刻蚀是半导体制造中的一个关键步骤，它使用特定的化学物质或气体来去除硅片表面的材料，以形成所需的电路图案。现在，我们逐一分析各个选项： A. **HF（氢氟酸）**：氢氟酸在半导体制造中常用于湿法刻蚀过程，特别是在清洗和去除硅片表面的二氧化硅层时。由于氢氟酸在刻蚀过程中会被大量使用，并且其挥发性相对较高，因此在刻蚀工序中很容易产生含有氢氟酸的废气。 B. **NH3（氨气）**：虽然氨气在某些半导体工艺中有应用，如用于氮化硅的生长或某些特定的清洗步骤，但它并不是刻蚀工序中的主导化学物质。因此，刻蚀工序产生的废气中氨气的含量通常不是主要的。 C. **HCl（氯化氢）**：氯化氢在半导体制造中也有一定的应用，但它更多地与某些清洗或气相沉积过程相关，而不是直接与刻蚀工序紧密相连。因此，在刻蚀工序产生的废气中，氯化氢可能不是主要成分。 D. **NOX（氮氧化物）**：氮氧化物通常来源于燃烧过程或某些特定的化学反应，如高温下的氮化反应。在半导体制造中的刻蚀工序中，氮氧化物的产生并不普遍，因此它们不太可能是刻蚀工序废气的主要成分。 综上所述，刻蚀工序中常用的化学物质是氢氟酸，且由于其挥发性较高，在刻蚀过程中很容易产生含有氢氟酸的废气。因此，刻蚀工序产生的废气主要含氢氟酸（HF）。 答案是A。
